半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置
文献类型：专利
| 作者 | 川上俊之; 太田将之; 川村亮太 |
| 发表日期 | 2019-07-26 |
| 专利号 | CN110061419A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 |
| 英文摘要 | 本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。 |
| 公开日期 | 2019-07-26 |
| 申请日期 | 2019-01-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55405]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川上俊之,太田将之,川村亮太. 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置. CN110061419A. 2019-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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