一种DFB半导体激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | 薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉 |
| 发表日期 | 2019-08-02 |
| 专利号 | CN110086085A |
| 著作权人 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种DFB半导体激光器芯片 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种DFB半导体激光器芯片，所述芯片的制备方法依次包括以下步骤；A1、在衬底层上通过MOCVD外延生长N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱层、AlGaInAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层，完成材料基片生长；A2、制备1/2光栅，生长InP间隔层、InGaAsP腐蚀停止层、InP空间层、InGaAsP过渡层、P+‑InGaAs欧姆接触层；A3、进行后续制备工艺，完成激光器芯片制备；本发明通过制造工艺的优化，使得制备的芯片具有低垂直发散角、载流子限制效率高的特点。 |
| 公开日期 | 2019-08-02 |
| 申请日期 | 2019-05-06 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55418]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛正群,吴林福生,杨重英,等. 一种DFB半导体激光器芯片. CN110086085A. 2019-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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