一种垂直外腔面发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 李林; 曾丽娜; 李再金; 乔忠良; 赵志斌; 曲轶; 彭鸿雁 |
| 发表日期 | 2019-08-09 |
| 专利号 | CN110112653A |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直外腔面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本发明提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高反射膜、增透膜制备的问题。本发明提出的一种垂直外腔面发射半导体激光器的外腔镜制备工艺简单，增大了单程增益长度，能有效减小外腔的腔长，获得高反射率外腔镜。 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 申请日期 | 2019-06-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,李再金,等. 一种垂直外腔面发射半导体激光器. CN110112653A. 2019-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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