一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐 |
| 发表日期 | 2019-08-16 |
| 专利号 | CN110137804A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；S4、通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。本发明通过将He气通入到ICP刻蚀腔中，促进了SiCl4的分解，在VCSEL台面侧壁形成了一层非晶硅保护层，有效阻止了反应气体对台面侧壁的进一步刻蚀，提升了VCSEL器件台面侧壁的光滑度。 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 申请日期 | 2019-05-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55443]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘恒,王俊,谭少阳,等. 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法. CN110137804A. 2019-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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