一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 刘恒; 谭少阳; 荣宇峰 |
| 发表日期 | 2019-08-16 |
| 专利号 | CN110137802A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平，降低了外延片的翘曲程度，从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度，实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 申请日期 | 2019-05-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55446]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,刘恒,谭少阳,等. 一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110137802A. 2019-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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