一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杜石磊; 田宇; 韩效亚; 吴真龙 |
| 发表日期 | 2019-08-20 |
| 专利号 | CN110148884A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，所述垂直腔面发射激光器的制备方法在砷化镓衬底的表面形成了多个构成预设的纳米图形的凸起结构，并在具有该凸起结构的一侧表面形成了应变缓冲层，以为外延结构的生长提供良好的基础；其中，多个凸起结构提供了砷化镓衬底中缺陷密度生长方向上的弯曲基础，所述应变缓冲层提供了平整的外延结构生长面，使得生长在应变缓冲层表面的外延结构可以最大程度上的避免受到砷化镓衬底中缺陷的不良影响，使得生长于应变缓冲层上的外延结构可以具有良好的晶体质量，提升了垂直腔面发射激光器的功率均匀性。 |
| 公开日期 | 2019-08-20 |
| 申请日期 | 2019-07-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜石磊,田宇,韩效亚,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110148884A. 2019-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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