一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 乔忠良; 曲轶; 彭鸿雁 |
| 发表日期 | 2019-08-20 |
| 专利号 | CN110148885A |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种水平空气柱电流注入孔径结构，包含下电流注入层和上电流注入层，利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN VCSEL完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本发明提出的一种水平空气柱电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，降低器件的阈值电流密度，解决GaN基VCSEL电流注入孔径的制作难题。 |
| 公开日期 | 2019-08-20 |
| 申请日期 | 2019-06-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,李再金,等. 一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器. CN110148885A. 2019-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。