一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 |
| 发表日期 | 2019-08-23 |
| 专利号 | CN110165552A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法，芯片包括：沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，三个(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加、In组分依次减少。能够有效平衡应变，降低工艺难度。 |
| 公开日期 | 2019-08-23 |
| 申请日期 | 2019-06-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55467]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法. CN110165552A. 2019-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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