一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 林涛; 齐玥; 邓泽军; 赵荣进; 马泽坤; 宁少欢 |
| 发表日期 | 2019-08-23 |
| 专利号 | CN110165555A |
| 著作权人 | 西安理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于GexSi1‑x可变晶格常数基体的红光半导体激光器，激光器的结构从下至上依次包括：N面电极，锗衬底，应变缓冲层，锗硅基体层，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒，上波导层，上限制层，势垒层，介质薄膜，欧姆接触层，P面电极；本发明的基于GexSi1‑x可变晶格常数基体的红光半导体激光器，在保证有源区激射波长变短的同时减小了量子阱的张应变，可解决超短波长红光激光器中面临的较大张应变有源区缺陷多的问题，同时也提高了该波段激光器的输出功率和光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2019-08-23 |
| 申请日期 | 2019-04-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55474]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林涛,齐玥,邓泽军,等. 一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器. CN110165555A. 2019-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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