半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法
文献类型:专利
作者 | 渊田步; 奥贯雄一郎; 境野刚; 上辻哲也; 中村直干 |
发表日期 | 2019-08-27 |
专利号 | CN110178275A |
著作权人 | 三菱电机株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法 |
英文摘要 | 特征在于,具备:半导体基板;谐振器部,其形成于半导体基板之上,具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面;防反射涂膜,其形成于该前端面;反射膜,其形成于该后端面;衍射光栅,其形成于该有源层之上或之下;上部电极,其形成于该谐振器部之上;以及下部电极,其形成于该半导体基板之下,该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短,从该前端面射出激光。 |
公开日期 | 2019-08-27 |
申请日期 | 2017-01-19 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55478] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 渊田步,奥贯雄一郎,境野刚,等. 半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法. CN110178275A. 2019-08-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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