等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张鹏 ; 许聪基; 赖铭智
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| 发表日期 | 2019-08-27 |
| 专利号 | CN110176398A |
| 著作权人 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。 |
| 公开日期 | 2019-08-27 |
| 申请日期 | 2019-06-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55481]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张鹏,许聪基,赖铭智. 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法. CN110176398A. 2019-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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