一种VCSEL芯片制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 |
| 发表日期 | 2019-08-30 |
| 专利号 | CN110190514A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种VCSEL芯片制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种VCSEL芯片制备方法，针对N型DBR层，通过先关Al源和Ga源，仅通AsH3生长60‑300秒，对表面进行处理，留下晶体质量较好的外延层，使得界面更清晰；并通过先通入3‑180秒的SiH4，在外延层表面形成一定的聚合物，形成高浓度Si掺，改变原有位错方向；再通入Al源和Ga源，形成高浓度Si掺，降低势垒结；先关Al源和Ga源，3‑180秒后再关SiH4，在表面形成一定的聚合物，形成高浓度Si掺，再次改变位错方向；然后关Al源和Ga源，仅通AsH3再次对表面进行处理。对于每一个势垒结，都通过上述方式改善界面，降低势垒结，进而降低电阻。并且通过Si和C互抢位置以降低C本底杂质。 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-06-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55497]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种VCSEL芯片制备方法. CN110190514A. 2019-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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