高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平 |
| 发表日期 | 2019-09-03 |
| 专利号 | CN110197993A |
| 著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括衬底、外延层和N‑contact，外延层包括N‑DBR、量子阱、氧化层和P‑DBR，P‑DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N‑DBR表面形成台面，量子阱包括多对量子阱复合层，量子阱复合层包括重叠生长的AlxGaAs势垒、InGaAs势阱和AlxGaAs势垒，P‑DBR上划分为中心区域、中间区域和边缘区域，中心区域为出光孔，P‑DBR上于中心区域对应位置生长有第一SiNx层，P‑DBR上于中间区域对应位置蒸镀有P‑contact，P‑DBR上于边缘区域对应位置生长有第二SiNx层。本发明的VCSEL芯片中的量子阱中的势垒具有较高的禁带宽度，容易达到晶格匹配，使得更多的电子被集中束缚在量子阱中，增大激发概率，提高复合效率，从而达到更高效率的受激辐射。 |
| 公开日期 | 2019-09-03 |
| 申请日期 | 2019-06-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55507]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. 高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法. CN110197993A. 2019-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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