一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 梅洋; 许荣彬; 徐欢; 应磊莹; 郑志威 |
| 发表日期 | 2019-09-06 |
| 专利号 | CN110212078A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。 |
| 公开日期 | 2019-09-06 |
| 申请日期 | 2019-06-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55514]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,梅洋,许荣彬,等. 一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法. CN110212078A. 2019-09-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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