一种VCSEL激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 林志伟; 陈凯轩; 蔡建九; 彭钰仁; 杜石磊 |
| 发表日期 | 2019-09-13 |
| 专利号 | CN110233425A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种VCSEL激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。 |
| 公开日期 | 2019-09-13 |
| 申请日期 | 2019-07-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55525]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林志伟,陈凯轩,蔡建九,等. 一种VCSEL激光器及其制作方法. CN110233425A. 2019-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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