一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗 |
| 发表日期 | 2019-09-20 |
| 专利号 | CN110265872A |
| 著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，欧姆接触层与出光孔位置相对应，欧姆接触层上生长有ODR层，ODR层上蒸镀有镜面层，台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，SiNx层上包覆有P‑contact层，P‑contact层填充接触孔。本发明的VCSEL芯片的结构设计不影响光致发光测试，提高了测试效率，减少了后续废品率，减少了原材料的浪费。 |
| 公开日期 | 2019-09-20 |
| 申请日期 | 2019-06-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55537]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法. CN110265872A. 2019-09-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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