可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 苏小平; 窦志珍; 曹广亮; 刘留 |
| 发表日期 | 2019-09-20 |
| 专利号 | CN110265875A |
| 著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法，GaN型VCSEL芯片包括GaN衬底、外延结构和ODR结构，外延结构包括由下至上依次沉积的N‑GaN、量子阱、P‑GaN和InGaN接触层，InGaN接触层划分为中心区域和包围中心区域的外围区域，InGaN接触层表面于外围区域对应的位置生长有SiO2层，SiO2层上生长有DBR结构，DBR结构、InGaN接触层、P‑GaN、量子阱被蚀刻至N‑GaN形成台面，DBR结构于外围区域对应的位置生长有P‑contact，且形成有出光孔，出光孔喷涂封装有荧光粉，量子阱、P‑GaN、InGaN接触层、DBR结构和P‑contact外均包覆有SiNx层，SiNx层外侧壁蒸镀有N‑contact，N‑contact生长在台面上。本发明制备得到的VCSEL芯片能够实现在受激发光时通过荧光粉区域射出白光，补充了VCSEL芯片在发射出白光方面的空白。 |
| 公开日期 | 2019-09-20 |
| 申请日期 | 2019-05-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏小平,窦志珍,曹广亮,等. 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法. CN110265875A. 2019-09-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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