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应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器

文献类型:专利

作者陈景标; 常鹏媛
发表日期2019-09-20
专利号CN110265873A
著作权人温州激光与光电子协同创新中心
国家中国
文献子类发明申请
其他题名应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器
英文摘要本发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器,在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜,滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜,VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束,然后被部分反射膜部分反射,反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化,获得一种小型集成化、窄线宽的激光器,具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性,因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。
公开日期2019-09-20
申请日期2019-06-20
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55543]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位温州激光与光电子协同创新中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈景标,常鹏媛. 应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器. CN110265873A. 2019-09-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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