应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器
文献类型:专利
作者 | 陈景标; 常鹏媛 |
发表日期 | 2019-09-20 |
专利号 | CN110265873A |
著作权人 | 温州激光与光电子协同创新中心 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器 |
英文摘要 | 本发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器,在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜,滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜,VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束,然后被部分反射膜部分反射,反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化,获得一种小型集成化、窄线宽的激光器,具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性,因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。 |
公开日期 | 2019-09-20 |
申请日期 | 2019-06-20 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55543] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 温州激光与光电子协同创新中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈景标,常鹏媛. 应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器. CN110265873A. 2019-09-20. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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