一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢 |
| 发表日期 | 2019-09-20 |
| 专利号 | CN110265864A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。 |
| 公开日期 | 2019-09-20 |
| 申请日期 | 2019-07-08 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55545]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 应磊莹,王灿,张保平,等. 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法. CN110265864A. 2019-09-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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