flip chip型VCSEL芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗 |
| 发表日期 | 2019-09-27 |
| 专利号 | CN110289548A |
| 著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | flip chip型VCSEL芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及flip chip型VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片，衬底上蚀刻有出光孔，外延片生长在衬底底面，外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，台柱上包覆有SiNx层，SiNx层在第二型反射层上成型有孔一，SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact，P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二，P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。N‑contact的材料包括但不限于AuGe、Au，P‑contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底，可实现高效散热，达到热电分离的状态，从而提高了饱和电流，提高了功率效率及斜率效率。 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 申请日期 | 2019-06-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. flip chip型VCSEL芯片及其制造方法. CN110289548A. 2019-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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