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一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法

文献类型:专利

作者窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗
发表日期2019-09-27
专利号CN110289554A
著作权人威科赛乐微电子股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
英文摘要本发明涉及电子芯片技术领域,公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法,VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层;第一过渡层上生长有第一欧姆接触层,第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱,第一ODR柱上蒸镀有镜面层,镜面层的侧壁生长有SiO2保护层,镜面层上蒸镀有外延片键合层,外延片键合层上设置有Si片,Si片上蒸镀金属形成有P‑contact;第二过渡层上生长有第二欧姆接触层,第二欧姆接触层生长有第二ODR柱,第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact,N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。本发明的制造方法中无较难控制的氧化工序,该芯片中的N‑contact直接连通外延片,减少了需要散热的部分,提高了功率效率和斜率效率,且ITO使电流扩展更加均匀,减少了横模的产生。
公开日期2019-09-27
申请日期2019-06-18
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55555]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法. CN110289554A. 2019-09-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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