一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗 |
发表日期 | 2019-09-27 |
专利号 | CN110289554A |
著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法 |
英文摘要 | 本发明涉及电子芯片技术领域,公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法,VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层;第一过渡层上生长有第一欧姆接触层,第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱,第一ODR柱上蒸镀有镜面层,镜面层的侧壁生长有SiO2保护层,镜面层上蒸镀有外延片键合层,外延片键合层上设置有Si片,Si片上蒸镀金属形成有P‑contact;第二过渡层上生长有第二欧姆接触层,第二欧姆接触层生长有第二ODR柱,第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact,N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。本发明的制造方法中无较难控制的氧化工序,该芯片中的N‑contact直接连通外延片,减少了需要散热的部分,提高了功率效率和斜率效率,且ITO使电流扩展更加均匀,减少了横模的产生。 |
公开日期 | 2019-09-27 |
申请日期 | 2019-06-18 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55555] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法. CN110289554A. 2019-09-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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