半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 赵碧瑶; 井红旗; 刘翠翠; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2019-09-27 |
| 专利号 | CN110289549A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 申请日期 | 2019-06-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55557]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵碧瑶,井红旗,刘翠翠,等. 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器. CN110289549A. 2019-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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