半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 苏炎坤; 陈冠群; 林俊良; 黄金泉; 胡舒凯 |
发表日期 | 2008-04-02 |
专利号 | CN101154637A |
著作权人 | 奇力光电科技股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法。本半导体元件的嵌入式金属散热座至少包括:一金属薄层,具有相对的第一表面以及第二表面,其中至少一半导体元件嵌设在金属薄层的第一表面中,且半导体元件具有电性相反的二电极;一金属散热座,接合于金属薄层的第二表面;以及二电极垫,设在半导体元件周围的金属薄层的第一表面上,并分别对应于上述的电极,其中这些电极通过至少二导线而分别与对应的电极垫电性连接,且这些电极垫与一外部电路电性连接。 |
公开日期 | 2008-04-02 |
申请日期 | 2006-09-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55694] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 奇力光电科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏炎坤,陈冠群,林俊良,等. 半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法. CN101154637A. 2008-04-02. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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