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半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法

文献类型:专利

作者苏炎坤; 陈冠群; 林俊良; 黄金泉; 胡舒凯
发表日期2008-04-02
专利号CN101154637A
著作权人奇力光电科技股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法
英文摘要本发明公开了一种半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法。本半导体元件的嵌入式金属散热座至少包括:一金属薄层,具有相对的第一表面以及第二表面,其中至少一半导体元件嵌设在金属薄层的第一表面中,且半导体元件具有电性相反的二电极;一金属散热座,接合于金属薄层的第二表面;以及二电极垫,设在半导体元件周围的金属薄层的第一表面上,并分别对应于上述的电极,其中这些电极通过至少二导线而分别与对应的电极垫电性连接,且这些电极垫与一外部电路电性连接。
公开日期2008-04-02
申请日期2006-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55694]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位奇力光电科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
苏炎坤,陈冠群,林俊良,等. 半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法. CN101154637A. 2008-04-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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