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化合物半导体元件的封装结构及其制造方法

文献类型:专利

作者陈滨全; 林升柏
发表日期2009-09-30
专利号CN101546737A
著作权人展晶科技(深圳)有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名化合物半导体元件的封装结构及其制造方法
英文摘要本发明揭示一种化合物半导体元件的封装结构及其制造方法,该封装结构包含薄膜基板、晶粒、至少一个金属导线及透明封胶材料。该薄膜基板包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料。该晶粒固定于该第一导电膜的表面,并通过该金属导线与该第一导电膜或该第二导电膜电连接。该透明封胶材料覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒上。该第一导电膜及该第二导电膜相对于该透明封胶的表面分别作为电极,该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间。本发明能够使元件的厚度更薄而节省所占空间,并解决散热不佳的问题。
公开日期2009-09-30
申请日期2008-03-25
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55733]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位展晶科技(深圳)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈滨全,林升柏. 化合物半导体元件的封装结构及其制造方法. CN101546737A. 2009-09-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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