半导体发光器件和包括其的发光器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 郑畴溶 |
| 发表日期 | 2010-08-18 |
| 专利号 | CN101807637A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件和包括其的发光器件封装 |
| 英文摘要 | 提供一种半导体发光器件和包括其的发光器件封装。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层、导电支撑构件和第一缓冲构件。所述化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述电极层设置在所述多个化合物半导体层下方。所述导电支撑构件设置在所述电极层下方。所述第一缓冲构件嵌入所述导电支撑构件中以间隔开。 |
| 公开日期 | 2010-08-18 |
| 申请日期 | 2010-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55790]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑畴溶. 半导体发光器件和包括其的发光器件封装. CN101807637A. 2010-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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