发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 范熙荣; 金省均; 秋圣镐 |
| 发表日期 | 2011-11-30 |
| 专利号 | CN102263180A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装 |
| 英文摘要 | 一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，该连接层形成在第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过连接层来连接第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，并且发光器件进一步包括电极，该电极形成在第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 申请日期 | 2011-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55857]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范熙荣,金省均,秋圣镐. 发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装. CN102263180A. 2011-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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