阵列半导体辐射发射装置的分布冷却
文献类型:专利
| 作者 | 乔纳森·M·卡茨; 本杰明·D·约翰逊 |
| 发表日期 | 2013-10-09 |
| 专利号 | CN103348185A |
| 著作权人 | 派拉斯科IP有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 阵列半导体辐射发射装置的分布冷却 |
| 英文摘要 | 本发明提供用于从固态半导体装置(例如蒸煮或加热装置)移除废热的技术。特定来说,提供用于通过与冷却系统接触的散热片从所述装置传导废热的技术。此外,提供可适用于多个固态半导体源的多头冷却系统。 |
| 公开日期 | 2013-10-09 |
| 申请日期 | 2011-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55858] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 派拉斯科IP有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔纳森·M·卡茨,本杰明·D·约翰逊. 阵列半导体辐射发射装置的分布冷却. CN103348185A. 2013-10-09. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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