中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
阵列半导体辐射发射装置的分布冷却

文献类型:专利

作者乔纳森·M·卡茨; 本杰明·D·约翰逊
发表日期2013-10-09
专利号CN103348185A
著作权人派拉斯科IP有限责任公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名阵列半导体辐射发射装置的分布冷却
英文摘要本发明提供用于从固态半导体装置(例如蒸煮或加热装置)移除废热的技术。特定来说,提供用于通过与冷却系统接触的散热片从所述装置传导废热的技术。此外,提供可适用于多个固态半导体源的多头冷却系统。
公开日期2013-10-09
申请日期2011-06-01
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55858]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位派拉斯科IP有限责任公司
推荐引用方式
GB/T 7714
乔纳森·M·卡茨,本杰明·D·约翰逊. 阵列半导体辐射发射装置的分布冷却. CN103348185A. 2013-10-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。