氮化物半导体发光装置
文献类型：专利
| 作者 | 萩野裕幸; 吉田真治; 森本廉 |
| 发表日期 | 2015-02-18 |
| 专利号 | CN104364982A |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有：具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。绝缘部件(17a、17b)的至少与容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。 |
| 公开日期 | 2015-02-18 |
| 申请日期 | 2013-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩野裕幸,吉田真治,森本廉. 氮化物半导体发光装置. CN104364982A. 2015-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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