半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 崔洛俊; 金炳祚; 吴炫智; 洪埩熀 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN109417112A |
| 著作权人 | LG 伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2017-06-23 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56113]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG 伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔洛俊,金炳祚,吴炫智,等. 半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装. CN109417112A. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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