半导体器件及包括其的半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 吴炫智; 崔洛俊; 金炳祚 |
| 发表日期 | 2018-03-13 |
| 专利号 | CN107799639A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及包括其的半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。 |
| 公开日期 | 2018-03-13 |
| 申请日期 | 2017-09-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴炫智,崔洛俊,金炳祚. 半导体器件及包括其的半导体器件封装. CN107799639A. 2018-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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