半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 崔洛俊; 金炳祚; 吴炫智; 丁星好 |
| 发表日期 | 2019-05-21 |
| 专利号 | CN109791960A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。 |
| 公开日期 | 2019-05-21 |
| 申请日期 | 2017-09-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56126]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔洛俊,金炳祚,吴炫智,等. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN109791960A. 2019-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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