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用于制造绝缘膜和半导体封装的方法

文献类型:专利

作者郑遇载; 庆有真; 崔炳柱; 崔宝允; 李光珠; 郑珉寿
发表日期2019-04-16
专利号CN109643698A
著作权人株式会社LG化学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名用于制造绝缘膜和半导体封装的方法
英文摘要本发明涉及用于制造绝缘层的方法,其可以使固化时聚合物收缩引起的翘曲程度最小化并确保位于其中的半导体芯片的稳定性;以及用于使用由绝缘层的制造方法获得的绝缘层制造半导体封装的方法。
公开日期2019-04-16
申请日期2018-07-02
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56169]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社LG化学
推荐引用方式
GB/T 7714
郑遇载,庆有真,崔炳柱,等. 用于制造绝缘膜和半导体封装的方法. CN109643698A. 2019-04-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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