一种带TEC-氮化铝-金属三元结构的SMD封装基座
文献类型：专利
| 作者 | 温演声; 何家兵 |
| 发表日期 | 2018-11-30 |
| 专利号 | CN108922869A |
| 著作权人 | 广东格斯泰气密元件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种带TEC-氮化铝-金属三元结构的SMD封装基座 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种带TEC‑氮化铝‑金属三元结构的SMD封装基座，包括基板，所述基板的顶端内部表面固定安装有半导体致冷器，所述半导体致冷器的顶部设有贴片区，且贴片区上安装有芯片，所述基板的顶部相互对称安装有两组第二电极，所述基板的底部相互对称安装有两组第一电极，解决良好散热问题，提出了在氮化铝基板上键合TEC的方案，在TEC冷端再键合芯片，芯片产生的热量通过TEC调节，芯片温度保持稳定；TEC热端和氮化铝基板贴合，热端产生的热通过氮化铝导热散发；针对氮化铝高温共烧技术的工艺难度和成本问题，提出了采用低温金属化制程，实现氮化铝通孔和表面金属化，适合推广和普及。 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 申请日期 | 2018-07-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广东格斯泰气密元件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温演声,何家兵. 一种带TEC-氮化铝-金属三元结构的SMD封装基座. CN108922869A. 2018-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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