半導体レーザ素子およびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 石住 ▲隆▼司; 竹川 浩; 森本 泰司 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291696A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子を低コストで、放射特性良く、しかもダイボンド位置精度が良い状態に作製する。 【構成】 ヒートシンク2の搭載面2aに、上面20aが半導体レーザチップ1の下面と同一か又は少し小さい寸法の平坦面をなす突起部20を設ける。この突起部20の上面20aに低融点鑞材(In)3を塗布する。この上に、半導体レーザチップ1を載置した状態で、加熱溶融および冷却を行って半導体レーザチップ1を突起部20に取り付ける。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56237]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石住 ▲隆▼司,竹川 浩,森本 泰司. 半導体レーザ素子およびその作製方法. JP1993291696A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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