レーザ·ダイオード·モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 楠 浩典 |
| 发表日期 | 1993-11-26 |
| 专利号 | JP1993315707A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザ·ダイオード·モジュール |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 レーザ·ダイオード·モジュールにおけるレーザ·ダイオード·チップの高精度温度検出。 【構成】 V50Ru50合金からなる薄膜温度センサ3をレーザ·ダイオード·チップ2の表面に設け、レーザ·ダイオード·チップの高精度温度測定を可能とする。そして、この温度測定情報に基づいて電子冷却素子5を制御し、レーザ·ダイオードの接合温度の一定化を図り、レーザ光の出力安定化を達成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-26 |
| 申请日期 | 1992-05-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56238]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 楠 浩典. レーザ·ダイオード·モジュール. JP1993315707A. 1993-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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