半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田村 英男; 鈴木 宏生; 土岐 正俊 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005987A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】この発明の目的は、潰し法によって正確な位置精度を有するマウント面を形成できるとともに、半導体レーザ素子の光量をモニタするための光を阻害する無用な突部が生じない半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法を提供する。 【構成】ステム12とホルダ13の側面部13b の相互間にある隙間を、ステム12の中心位置12a とヒートシンク11のマウント面11a との距離より小さく設定し、圧縮板14a を移動してヒートシンク11の裏面11b を押圧し、側面部13b によってステム12の移動位置が規制された状態で、ヒートシンク11のマウント面11a をステム12の中心位置12a 方向に突出させ、圧縮板14b によりヒートシンク11を潰し整形して全体をクランク形状とするとともに、突出したマウント面11a を中心位置12a に一致させている。したがって、マウント面11a の位置精度が良好で、モニタ光を阻害することもない。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 英男,鈴木 宏生,土岐 正俊. 半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法. JP1994005987A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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