半導体素子の製造方法及び半導体素子の保護膜形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 宇野 久美子; 吉田 茂樹; 石崎 明美; 長谷川 光利 |
| 发表日期 | 1995-01-10 |
| 专利号 | JP1995007229A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法及び半導体素子の保護膜形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】加工時に生じる付着物をできるだけ減少させ特性の良い半導体素子を作製する半導体素子の製造方法、及び端面に保護膜を簡単かつ歩留まり良く形成できしかも端面の形状に依存することなく形成できる保護膜の形成方法である。 【構成】半導体素子に、レーザーの共振器となるレーザー端面、光波の分岐·結合を行うためのカップラ部6などを集束イオンビームエッチング法によって作製する。この際に、半導体素子の少なくともレーザー端面、カップラ部6などに、冷却しながら集束イオンビームエッチングを行う。 |
| 公开日期 | 1995-01-10 |
| 申请日期 | 1993-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56250]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇野 久美子,吉田 茂樹,石崎 明美,等. 半導体素子の製造方法及び半導体素子の保護膜形成方法. JP1995007229A. 1995-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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