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熱電子冷却素子付半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者田中 強; 青木 聰
发表日期1995-08-22
专利号JP1995225326A
著作权人日本オプネクスト株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名熱電子冷却素子付半導体レーザモジュール
英文摘要【目的】高周波特性とトレードオフとなる冷却能力を損なうことなくステムと金属ホルダ間に発生する空洞共振を防止し、小信号周波数特性における共振上ディップを消去し、広帯域化することを目的とする。 【構成】半導体レーザを搭載したステムが、半導体レーザの温度を制御する熱電子冷却素子上に搭載され、半導体レーザより出射された光を集光するレンズを固定するための金属ホルダが、ケース内部に突出した構造を有する半導体レーザモジュールにおいて、ステムと金属ホルダを導電性板材により接続した熱電子冷却素子付半導体レーザモジュール。
公开日期1995-08-22
申请日期1994-02-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56260]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
田中 強,青木 聰. 熱電子冷却素子付半導体レーザモジュール. JP1995225326A. 1995-08-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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