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半導体レーザ装置における放熱構造

文献类型:专利

作者斎藤 吉正; 小林 哲郎; 千葉 宏一; 山口 哲; 大門 正博
发表日期1996-01-12
专利号JP1996008493A
著作权人新日本製鐵株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置における放熱構造
英文摘要【目的】 半導体レーザ素子を冷却する際の放熱効率が高く、しかも小型化が可能で可動性も向上させ得るようにする。 【構成】 半導体レーザ素子1を筒状部材10の内部に取付けると共に、筒状部材10の外周囲に放熱フィン20を設け、この放熱フィン20は、箔材21を波状に形成して筒状部材10の軸方向に沿って通気可能にその筒状部材10の外周面に固着したものとする。筒状部材10の軸方向に沿って放熱フィン20部分に空気を強制的に流すための空冷ファン40を、筒状部材10の後端に取付ける。放熱フィン20の厚さ及び間隔を小さくすることが可能になり、放熱フィン20の表面積を増大させることができるので、放熱効率を高めることができる。
公开日期1996-01-12
申请日期1994-06-20
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56264]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位新日本製鐵株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
斎藤 吉正,小林 哲郎,千葉 宏一,等. 半導体レーザ装置における放熱構造. JP1996008493A. 1996-01-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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