p型AlGaN系半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡部 信一; 岡川 広明; 只友 一行 |
| 发表日期 | 1996-01-12 |
| 专利号 | JP1996008460A |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p型AlGaN系半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 アニーリング処理や電子線処理の必要なく低抵抗のp型GaN系半導体を形成できて、その製造効率に優れる方法を得ること。
【構成】 サファイア又は窒化ガリウムからなる基板(1)上に、n型GaN系半導体層(2)を介して、p型不純物をドープした、一般式:AlxGa1-xN(ただし、0 |
| 公开日期 | 1996-01-12 |
| 申请日期 | 1994-06-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部 信一,岡川 広明,只友 一行. p型AlGaN系半導体の製造方法. JP1996008460A. 1996-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。