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半導体レーザ素子の冷却装置

文献类型:专利

作者水井 順一; 山越 英男
发表日期1996-05-07
专利号JP1996116138A
著作权人三菱重工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子の冷却装置
英文摘要【目的】 半導体レーザ素子及びレーザ光出射面の放熱,冷却が促進され、その結果大出力化のために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少なく、効率の低下,発振波長の変化,寿命の短縮等の特性悪化を起こすことがない半導体レーザ素子の冷却装置を提供する。 【構成】 透明なレーザ光出射窓6を有し、内部に半導体レーザ素子1をレーザ光3がレーザ光出射窓6を通して出射する位置に設置させた筐体5と、筐体5内部に、半導体レーザ素子1及びそのレーザ光出射面2を冷却するために、液体注入口8から注入され液体排出口9から排出されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体7とからなっている。
公开日期1996-05-07
申请日期1994-10-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56271]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱重工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
水井 順一,山越 英男. 半導体レーザ素子の冷却装置. JP1996116138A. 1996-05-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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