半導体レーザ素子の冷却装置
文献类型:专利
作者 | 水井 順一; 山越 英男 |
发表日期 | 1996-05-07 |
专利号 | JP1996116138A |
著作权人 | 三菱重工業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子の冷却装置 |
英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子及びレーザ光出射面の放熱,冷却が促進され、その結果大出力化のために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少なく、効率の低下,発振波長の変化,寿命の短縮等の特性悪化を起こすことがない半導体レーザ素子の冷却装置を提供する。 【構成】 透明なレーザ光出射窓6を有し、内部に半導体レーザ素子1をレーザ光3がレーザ光出射窓6を通して出射する位置に設置させた筐体5と、筐体5内部に、半導体レーザ素子1及びそのレーザ光出射面2を冷却するために、液体注入口8から注入され液体排出口9から排出されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体7とからなっている。 |
公开日期 | 1996-05-07 |
申请日期 | 1994-10-17 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56271] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱重工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 水井 順一,山越 英男. 半導体レーザ素子の冷却装置. JP1996116138A. 1996-05-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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