温度制御型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 清水 春仁 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022581A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 温度制御型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】冷却能力の劣化を招くことなしに、はんだクリープに起因する光軸ずれを抑制する。 【解決手段】モジュールパッケージ11の底板12およびペルチエクーラ13の低温側基板13aに、それぞれペルチエクーラ·ストッパ14およびキャリア基板·ストッパ16を備えている。これにより、はんだクリープによるペルチエクーラ13およびキャリア15の位置変動が抑制される。また、低温側基板13aおよび高温側基板13bの間に熱的干渉はないため、冷却能力の劣化は生じない。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 春仁. 温度制御型半導体レーザ装置. JP1998022581A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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