半導体レーザ素子の電流対光出力特性の測定装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 均 |
| 发表日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | JP1998117041A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の電流対光出力特性の測定装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の電流対光出力特性を正確にかつ短時間で測定でき、しかも小型軽量な測定装置を提供する。 【解決手段】 本測定装置10は、レーザ素子を支持する熱伝導性の良好な支持体18、支持体を介してレーザ素子を加熱又は冷却するペルチエ素子20、光出力を測定するフォトダイオード22、レーザ素子の駆動回路34、ペルチエ素子を駆動すると共に支持体の温度を測定してペルチエ素子に入力する電流を調整し、支持体の温度を所定温度に維持する温度制御装置36と、コンピュータ18に組み込まれた設定·演算装置16とを備えている。ペルチエ素子の側面に放熱板26が設けられている。設定·演算装置は、レーザ素子の駆動装置及び温度制御装置を制御し、レーザ素子への電流値I及び支持体の温度Tを自在に設定すると共に光出力Lの信号を受けて、温度Tの下で電流値Iに対する光出力Lの電流対光出力特性を算出する。 |
| 公开日期 | 1998-05-06 |
| 申请日期 | 1996-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56299]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 均. 半導体レーザ素子の電流対光出力特性の測定装置. JP1998117041A. 1998-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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