p型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びAlGaInN系発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 金田 直樹 |
| 发表日期 | 2007-07-26 |
| 专利号 | JP2007189028A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びAlGaInN系発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なMgドープのp型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。 【解決手段】基板上に形成されたp型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でV族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Mgをドープした前記p型窒化ガリウム系半導体104を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が40%以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-07-26 |
| 申请日期 | 2006-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金田 直樹. p型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びAlGaInN系発光素子の製造方法. JP2007189028A. 2007-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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