半導体レーザ装置およびヒートシンク
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 浩次; 熊本 健二; 久場 一樹 |
| 发表日期 | 2009-08-13 |
| 专利号 | JP2009182232A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびヒートシンク |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】腐食箇所が特定し易いヒートシンク半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】半導体レーザ装置101は、半導体レーザバー(半導体レーザ素子)10と、これを冷却するヒートシンク30とを有している。ヒートシンク30は、積層板31,32,33を複数枚積層して、積層方向に隣接する積層板を接合ろう材35にて相互に接合して構成され、内部に冷却液が流通する流路37が形成されている。そして、接合ろう材35のイオン化傾向は、積層板31,32,33のイオン化傾向よりも大きい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-08-13 |
| 申请日期 | 2008-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56416]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 浩次,熊本 健二,久場 一樹. 半導体レーザ装置およびヒートシンク. JP2009182232A. 2009-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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