半導体レーザパッケージの冷却システム
文献类型：专利
| 作者 | 熊本 健二; 山崎 浩次; 日向 進 |
| 发表日期 | 2010-06-17 |
| 专利号 | JP2010135704A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザパッケージの冷却システム |
| 英文摘要 | 【課題】水冷ヒートシンクや通水路に穴が開いた場合であっても冷却水の水漏れを抑制する。 【解決手段】本発明は、多数の水冷ヒートシンクを用いた半導体レーザパッケーシを使用したレーザ発振器等の装置において、半導体レーザパッケージを使用する圧力環境を、その冷却の為に通水する循環系の圧力より高く設定し維持することにより、例えば内一個の水漏れ故障における他への影響を無くすことができ、高額な半導体レーザパッケージの損失を最小限と留めることが可能となり、延いてはメンテナンスコストの削減が図れる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-06-17 |
| 申请日期 | 2008-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊本 健二,山崎 浩次,日向 進. 半導体レーザパッケージの冷却システム. JP2010135704A. 2010-06-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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