氮化物半导体激光器的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 铃木洋介; 中川康幸; 臧本恭介; 白滨武郎 |
| 发表日期 | 2009-06-24 |
| 专利号 | CN101465518A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。 |
| 公开日期 | 2009-06-24 |
| 申请日期 | 2008-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56509]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 铃木洋介,中川康幸,臧本恭介,等. 氮化物半导体激光器的制造方法. CN101465518A. 2009-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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