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一种微纳米激光二极管的制备方法

文献类型:专利

作者徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 林毅; 石增良; 理记涛
发表日期2012-07-11
专利号CN102570304A
著作权人东南大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种微纳米激光二极管的制备方法
英文摘要本发明公开了一种微纳米激光二极管的制备方法,该方法首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜,如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴(PF)、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等P型半导体聚合物,然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在旋涂p型半导体聚合物的p型GaN薄膜表面形成异质结,然后在集成有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜(如:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),聚二甲基硅氧烷(PDMS),二氧化硅(SiO2),三氧化二铝(Al2O3)等有机或者无机透明绝缘材料),接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来,最后分别在GaN和ZnO微米棒表面制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。
公开日期2012-07-11
申请日期2012-01-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56537]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位东南大学
推荐引用方式
GB/T 7714
徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 一种微纳米激光二极管的制备方法. CN102570304A. 2012-07-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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