一种半导体激光bar条及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关永莉; 米洪龙; 梁健; 李小兵; 王琳; 董海亮 |
| 发表日期 | 2017-12-15 |
| 专利号 | CN107482471A |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光bar条及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层，并对所述电流限制层进行刻蚀，以露出所述脊型电流注入区；在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层，并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区；在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 |
| 公开日期 | 2017-12-15 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56549]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关永莉,米洪龙,梁健,等. 一种半导体激光bar条及其制备方法. CN107482471A. 2017-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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