砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵永超; 米洪龙; 李小兵; 郭永瑞; 关永莉; 陈宇星; 王琳 |
| 发表日期 | 2017-12-26 |
| 专利号 | CN107516818A |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器的腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性，并延长砷化镓激光器的寿命。 |
| 公开日期 | 2017-12-26 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵永超,米洪龙,李小兵,等. 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法. CN107516818A. 2017-12-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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